第347章 各项技术(1/2)

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得到了专业人士的肯定，两位老总脸上的表情更加欣喜，看向江辰的眼神也愈发满意。

他们仿佛看到了公司未来的光明前景，对江辰的创新能力充满了信心。

“其实不止是euv光刻技术，”

江辰微笑着继续说道

“我还有几种光刻技术的设想，也都可以说一说。”

他顿了顿，开始详细阐述

“例如纳米压印光刻，这是一种类似打印机的技术。

我们通过在模具上刻上纳米电路的图案，然后将其压在硅片的感光材料上，通过紫外线照射完成转印。

这种技术的精度至少有2纳米，对于提高生产效率有着显着的优势。”

“还有电子束光刻机，”

江辰接着介绍

“这是用高能电子束替代极紫外线的技术。电子对应的波长更是只有004纳米，因此其精度更高。

不过，由于精度高，但是生产速度相对较慢，还有改进的空间。”

他看了一眼听众，发现他们都在认真倾听，于是继续说道

“最后还有自组装光刻技术，这是使用化学物质诱导光刻材料在硅片上自发组成所需结构的方法。

这种技术的分辨率高，并且加工速度不受影响。但是，它对材料控制的要求非常高，目前还处在实验室阶段。”

江辰的每一句话都充满了创新的火花，让在场的所有人都为之动容。

原以为他能够解决euv光刻技术就已经非常天才了，没想到他还有其他几种光刻技术的设想。

既然他能够堂而皇之地将这些技术说出来，那么肯定是有理论和实验依据作为支撑的。

这场会议让大家对于江辰的技术能力非常信服。

对于euv光刻技术，他们都已经深入研究过，因此深知这项技术的极限是在3纳米。

这是一个难以突破的瓶颈，也是未来技术发展的一个重要节点。

根据摩尔定律和最近十几年的半导体发展历程来看，每18到24个月，集成电路上可以容纳的晶体管数目就会增加一倍。

简而言之，处理器的性能大约每两年就会翻一倍，同时价格也会下降到之前的一半。

这是一个不可逆转的趋势，也是推动科技不断进步的重要力量。

然而，3纳米的极限看似很远，但实际上很快就会摸到上限。

目前的纳米制程还停留在45纳米，按照各家的推算，不需十年最晚十五年时间就会达到极限。

并且根据大家的研究来看，euv光刻技术的优势主要在于7纳米到14纳米这个阶段。

在这个阶段，它的性能和成本都相对较为优越。

但是，随着制程的不断缩小，研发成本会呈指数级上升，这使得继续研发euv光刻技术变得完全不合算。

因此，不止研发euv光刻技术，寻找新的、更具成本效益的光刻技术去触摸更高精度制程已经成为行业的共识。