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首发：~第1364章 膜厚控制
八月三号，鹏城，实验楼三层。
钱院士带了十二个人，关在机房里，三天没出来。
手册拆开之后，问题比想象的多。蔡司的镀膜工艺用的是磁控溅射加离子束辅助沉积，两套系统配合，精度要求到了亚纳米级别。
钱院士的助手小周拿着打印出来的参数表，站在设备前，对了半天。
“钱老，咱们这台溅射设备，靶材转速最高到三千转，手册上要求四千五。”
钱院士走过来，看了一眼参数。
“膜厚控制呢？”
小周翻到第三页：“手册要求单层膜厚度误差不超过零点零二纳米。咱们这台设备最好做到零点零八，差四倍。”
钱院士把参数表放下，摘了老花镜。
设备不够——这是硬伤。
他打给张红旗。
“红旗，设备精度不够。手册里的工艺，咱们现有的机器跑不了。”
张红旗在煤市街：“差多少？”
“核心指标差三到四倍。要么换设备，要么改设备。换设备国内买不到，国外买走审批，最快半年。”
张红旗说：“改。”
“改设备风险很大，改坏了连现在的精度都保不住。”
张红旗说：“钱老，您先稳住。材料那边我来解决。设备改造的方案您先出，我这边配合。”
挂了。
八月四号，东京，住友化学株式会社。
住友的半导体材料部门收到了一份内部通报：ASML和一家开曼信托公司达成了专利交叉授权协议，镀膜技术参数外流。
住友的材料部部长田中看完通报，叫来下属。
“查一下，之前跟我们采购高纯度钼靶材的那个中国团队，是不是鹏城那边的？”
下属查了记录：“是。去年十一月下过一批订单，后来因为出口管制审批卡住了，一直没发货。”
田中点头：“现在ASML把技术给出去了，说明这个团队有背景。重新联系他们。”
下属问：“价格呢？”
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